menu
close

徐永贵老师在《半导体技术》发表不同退火氛围对TiN/HfO2/SiO2/Si 结构电荷分布的影响论文

发布时间:2021-07-22

    物理与光电工程学院徐永贵在快速热退火调制MOS器件性能机理方面取得重要进展,相关研究成果以“不同退火氛围对TiN/HfO2/SiO2/Si 结构电荷分布的影响”为题发表于半导体技术(DOI10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.01.010)。

热退火技术是集成电路制造过程中用来改善材料性能的重要手段,系统分析了两种不同的退火条件( 氨气氛围和氧气氛围) TiN/HfO2/SiO2/Si 结构中电荷分布的影响,给出了不同退火条件下SiO2/Si HfO2/SiO2界面的界面电荷密度、HfO2的体电荷密度以及HfO2 /SiO2界面的界面偶极子的数值。研究结果表明,在氨气和氧气氛围中退火会使HfO2/SiO2界面的界面电荷密度减小、界面偶极子增加,而SiO2/Si 界面的界面电荷密度几乎不受退火影响。最后研究了不同退火氛围对电容平带电压的影响,发现两种不同的退火条件都会导致TiN/HfO2/ SiO2/Si 电容结构平带电压的正向漂移,基于退火对其电荷分布的影响研究,此正向漂移主要来源于退火导致的HfO2/SiO2界面的界面偶极子的增加。

(物理与光电工程学院)


关注我们

  • 潍院小程序

  • 微信公众号